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alnair-labs 硅片非接触光学厚度测量装置
参考价:¥10

型号:1

更新时间:2026-07-04  |  阅读:12

详情介绍

一、日本alnair-labs 硅片非接触光学厚度测量装置 产品基础信息

项目详情
品牌机型alnair-labs 硅片非接触光学厚度测量装置
测量原理宽谱白光干涉反射光谱法,无损非接触光学测厚
测量能力总衬底厚度+多层薄膜分层厚度同步解析,纳米级分辨率
检测模式单点定点测厚、XY平台自动全域厚度Mapping扫描
适配晶圆单晶硅、SOI、SiC碳化硅、GaN氮化镓、光学玻璃衬底

二、核心规格参数

参数项标准规格
测量精度纳米级高分辨,重复测量误差小,满足先进制程管控
可测范围超薄薄膜至数百微米半导体硅衬底,双层/多层膜同步解析
光源系统内置低相干宽谱光源,光谱输出长期稳定无漂移
温控设计光路内置多级TEC半导体恒温,抑制环境温变测量漂移
人机交互液晶数显面板,实时展示厚度数值、片内均匀度云图曲线
数据管理本地海量厚度数据存储,U盘一键导出Excel质检报表
工业通讯LAN TCP/IP、USB、RS485 Modbus,对接产线PLC/MES系统
核心优势全程光学非接触,无探针触碰,无硅片划伤、崩边、表面污染
选配拓展自动XY晶圆扫描位移平台、真空晶圆吸附载台、无尘探头套件
供电规格AC220V低纹波精密稳压电源,适配半导体无尘车间

三、产品核心性能优势

1. 非接触光学无损检测,杜绝晶圆划伤报废

依靠光谱干涉采集厚度数据,无任何硬质探针、机械结构接触硅片表面,超薄抛光硅片、外延片不会产生划痕、崩角、表面颗粒污染,适配8/12英寸集成电路无尘产线质检标准。

2. 纳米级高精度分层测厚,衬底与薄膜数值同步输出

宽光谱干涉算法可同时解析硅衬底总厚度、二氧化硅绝缘层、半导体外延层多层膜厚度,纳米级分辨力,精准捕捉研磨薄化偏差、外延生长厚度差,满足先进芯片制程严苛管控要求。

3. 单点快速检测+全域Mapping扫描,研发量产双场景适配

单点模式适合实验室快速取样、来料抽检;搭配XY位移平台可实现整片晶圆二维厚度云图扫描,直观展示晶圆边缘薄化、片内厚度均匀度,辅助研磨、抛光机台工艺参数修正。

4. TEC光路恒温系统,24小时量产连续测量无漂移

核心光谱采集光路搭载TEC恒温模块,动态抵消无尘车间昼夜、四季温度波动,全天不间断在线检测无需频繁使用标准片校准,大幅减少产线停机校准工时。

5. 多品类半导体衬底通用,一台设备覆盖多条工艺产线

兼容普通单晶硅片、SOI绝缘层硅片、SiC/GaN功率半导体衬底、光学玻璃载片、光刻胶薄膜、氧化层薄膜,芯片制造、功率器件、光学晶圆实验室无需采购多台专用测厚设备。

6. 标准化工业通讯,自动化产线完整品质追溯

LAN、RS485工业标准通讯协议,可直接联动晶圆自动传送机、研磨减薄设备,每片硅片厚度数据实时上传工厂MES系统,生成完整晶圆品质追溯台账,顺利通过半导体客户审厂。

7. 自动生成厚度均匀度报表,简化质检数据分析工作

设备本地长期存储所有检测厚度数据,支持U盘导出Excel批次报表与二维厚度Mapping云图,快速筛选厚度超差晶圆,自动统计批次厚度均匀度良率,降低质检人员数据分析工作量。

四、适用行业与应用场景

  • 集成电路晶圆制造:8/12英寸硅片抛光、减薄工序厚度与片内均匀度在线检测

  • 功率半导体生产车间:SiC碳化硅、GaN氮化镓外延衬底分层膜厚精密测量

  • SOI特种芯片产线:顶层硅+底层绝缘氧化膜双层厚度同步解析检测

  • 半导体研发实验室:超薄硅片、光刻胶、氧化薄膜精密测厚配方实验

  • 晶圆研磨/背面减薄工序:实时监控研磨去除量,修正研磨机工艺参数

  • 光学衬底加工行业:超薄光学玻璃载片、镀膜薄膜无损厚度检测


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