详情介绍
| 项目 | 详情 |
|---|---|
| 品牌机型 | alnair-labs 硅片非接触光学厚度测量装置 |
| 测量原理 | 宽谱白光干涉反射光谱法,无损非接触光学测厚 |
| 测量能力 | 总衬底厚度+多层薄膜分层厚度同步解析,纳米级分辨率 |
| 检测模式 | 单点定点测厚、XY平台自动全域厚度Mapping扫描 |
| 适配晶圆 | 单晶硅、SOI、SiC碳化硅、GaN氮化镓、光学玻璃衬底 |
| 参数项 | 标准规格 |
|---|---|
| 测量精度 | 纳米级高分辨,重复测量误差小,满足先进制程管控 |
| 可测范围 | 超薄薄膜至数百微米半导体硅衬底,双层/多层膜同步解析 |
| 光源系统 | 内置低相干宽谱光源,光谱输出长期稳定无漂移 |
| 温控设计 | 光路内置多级TEC半导体恒温,抑制环境温变测量漂移 |
| 人机交互 | 液晶数显面板,实时展示厚度数值、片内均匀度云图曲线 |
| 数据管理 | 本地海量厚度数据存储,U盘一键导出Excel质检报表 |
| 工业通讯 | LAN TCP/IP、USB、RS485 Modbus,对接产线PLC/MES系统 |
| 核心优势 | 全程光学非接触,无探针触碰,无硅片划伤、崩边、表面污染 |
| 选配拓展 | 自动XY晶圆扫描位移平台、真空晶圆吸附载台、无尘探头套件 |
| 供电规格 | AC220V低纹波精密稳压电源,适配半导体无尘车间 |
依靠光谱干涉采集厚度数据,无任何硬质探针、机械结构接触硅片表面,超薄抛光硅片、外延片不会产生划痕、崩角、表面颗粒污染,适配8/12英寸集成电路无尘产线质检标准。
宽光谱干涉算法可同时解析硅衬底总厚度、二氧化硅绝缘层、半导体外延层多层膜厚度,纳米级分辨力,精准捕捉研磨薄化偏差、外延生长厚度差,满足先进芯片制程严苛管控要求。
单点模式适合实验室快速取样、来料抽检;搭配XY位移平台可实现整片晶圆二维厚度云图扫描,直观展示晶圆边缘薄化、片内厚度均匀度,辅助研磨、抛光机台工艺参数修正。
核心光谱采集光路搭载TEC恒温模块,动态抵消无尘车间昼夜、四季温度波动,全天不间断在线检测无需频繁使用标准片校准,大幅减少产线停机校准工时。
兼容普通单晶硅片、SOI绝缘层硅片、SiC/GaN功率半导体衬底、光学玻璃载片、光刻胶薄膜、氧化层薄膜,芯片制造、功率器件、光学晶圆实验室无需采购多台专用测厚设备。
LAN、RS485工业标准通讯协议,可直接联动晶圆自动传送机、研磨减薄设备,每片硅片厚度数据实时上传工厂MES系统,生成完整晶圆品质追溯台账,顺利通过半导体客户审厂。
设备本地长期存储所有检测厚度数据,支持U盘导出Excel批次报表与二维厚度Mapping云图,快速筛选厚度超差晶圆,自动统计批次厚度均匀度良率,降低质检人员数据分析工作量。
集成电路晶圆制造:8/12英寸硅片抛光、减薄工序厚度与片内均匀度在线检测
功率半导体生产车间:SiC碳化硅、GaN氮化镓外延衬底分层膜厚精密测量
SOI特种芯片产线:顶层硅+底层绝缘氧化膜双层厚度同步解析检测
半导体研发实验室:超薄硅片、光刻胶、氧化薄膜精密测厚配方实验
晶圆研磨/背面减薄工序:实时监控研磨去除量,修正研磨机工艺参数
光学衬底加工行业:超薄光学玻璃载片、镀膜薄膜无损厚度检测