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RAD-2510F12Sa晶圆贴合研磨机
参考价:¥10

型号:9

更新时间:2026-07-02  |  阅读:29

详情介绍

一、日本 Adwill-Global RAD-2510F12Sa晶圆贴合研磨机 产品基础信息

项目详情
品牌型号Adwill-Global RAD-2510F12Sa 晶圆贴合研磨机
产品定位8/12寸半导体晶圆一体化贴合背面减薄量产设备
集成工序真空贴膜→湿式研磨→在线测厚→剥离→清洗一体化
核心主轴高精度空气静压低振动研磨主轴
适配晶圆硅晶圆、SiC/GaN/GaAs化合物半导体8/12寸晶圆

二、核心规格参数

参数项标准规格
兼容晶圆尺寸8英寸、12英寸标准半导体晶圆
研磨目标厚度50μm ~ 700μm,微米级厚度公差控制
上下料方式全自动FOUP标准晶舟真空机械手上下料
厚度控制非接触在线实时测厚,进给闭环自动补偿
贴合系统真空负压无气泡保护膜贴合模组
冷却除尘循环纯水湿式冷却+多级硅粉粉尘回收过滤
控制系统工业触控PLC,海量工艺配方存储、批量计数
通讯拓展MES上位机数据对接,加工数据完整导出追溯
洁净设计全封闭无尘加工腔体,门联锁安全停机防护
供电气源AC380V工业供电,配套干燥洁净压缩空气、纯水循环系统

三、产品核心性能优势

1. 贴合研磨清洗一体化集成,精简产线设备布局

单台设备一站式完成晶圆贴膜、背面研磨、厚度检测、保护膜剥离、纯水清洗整套薄化工序,无需多独立设备转运晶圆,缩短制程节拍,大幅节省无尘车间空间与设备采购投入。

2. 空气静压研磨主轴,低振动降低晶圆加工缺陷

采用工业高精度空气静压主轴,运行振动极低,研磨纹路均匀细腻,有效减少晶圆背面划痕、边缘崩边、内部应力开裂等不良,稳定提升芯片封装良率。

3. 在线厚度闭环控制,整片晶圆薄化均匀度优异

加工全程搭载非接触式厚度传感器实时采集数据,系统自动微调研磨进给量补偿厚度偏差,整片晶圆厚度公差控制在微米级别,满足超薄晶圆先进封装严苛工艺要求。

4. 真空无气泡贴合模组,适配翘曲超薄晶圆

负压真空贴合结构,保护膜与晶圆表面紧密贴合无气泡滑移,研磨过程不会出现膜层起皱、偏移,有效规避晶圆边缘研磨损伤。

5. FOUP全自动密闭上下料,适配百级无尘量产车间

兼容半导体行业标准FOUP晶舟盒式自动上下料,全程密闭无尘腔体隔绝外部颗粒污染,减少人工介入,满足高洁净度芯片制造车间生产规范。

6. 湿式冷却粉尘集中回收,维持腔体长期洁净

循环纯水研磨冷却搭配多级硅粉尘过滤回收装置,加工产生的硅粉集中收集处理,避免粉尘堆积污染晶圆,降低腔体清洁维护频次。

7. 海量工艺配方一键调取,多品类芯片快速换产

设备可存储上百套贴合、研磨分段工艺参数,切换功率器件、MEMS、存储芯片晶圆时直接调取配方,大幅缩短产线换线调试工时,提升设备稼动率。

8. MES通讯数据导出,满足半导体品质审厂追溯

支持对接工厂上位MES系统,每片晶圆加工厚度、研磨压力、加工时长等原始数据自动存储导出,形成完整品质台账,符合半导体行业客户审厂追溯审核标准。

四、日本 Adwill-Global RAD-2510F12Sa晶圆贴合研磨机 适用行业与应用场景

  • 功率半导体制造产线:IGBT、MOSFET、SiC碳化硅功率晶圆背面超薄减薄

  • 存储芯片封装工厂:NAND Flash、DRAM存储晶圆精密研磨加工

  • 射频通信芯片车间:GaAs、GaN氮化镓射频化合物半导体晶圆薄化

  • MEMS传感器生产线:光学、压力、加速度MEMS晶圆精密研磨

  • 先进封装研发实验室:2.5D/3D封装超薄晶圆工艺验证测试


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