详情介绍
| 项目 | 详情 |
|---|---|
| 品牌型号 | Adwill-Global RAD-2510F12Sa 晶圆贴合研磨机 |
| 产品定位 | 8/12寸半导体晶圆一体化贴合背面减薄量产设备 |
| 集成工序 | 真空贴膜→湿式研磨→在线测厚→剥离→清洗一体化 |
| 核心主轴 | 高精度空气静压低振动研磨主轴 |
| 适配晶圆 | 硅晶圆、SiC/GaN/GaAs化合物半导体8/12寸晶圆 |
| 参数项 | 标准规格 |
|---|---|
| 兼容晶圆尺寸 | 8英寸、12英寸标准半导体晶圆 |
| 研磨目标厚度 | 50μm ~ 700μm,微米级厚度公差控制 |
| 上下料方式 | 全自动FOUP标准晶舟真空机械手上下料 |
| 厚度控制 | 非接触在线实时测厚,进给闭环自动补偿 |
| 贴合系统 | 真空负压无气泡保护膜贴合模组 |
| 冷却除尘 | 循环纯水湿式冷却+多级硅粉粉尘回收过滤 |
| 控制系统 | 工业触控PLC,海量工艺配方存储、批量计数 |
| 通讯拓展 | MES上位机数据对接,加工数据完整导出追溯 |
| 洁净设计 | 全封闭无尘加工腔体,门联锁安全停机防护 |
| 供电气源 | AC380V工业供电,配套干燥洁净压缩空气、纯水循环系统 |
单台设备一站式完成晶圆贴膜、背面研磨、厚度检测、保护膜剥离、纯水清洗整套薄化工序,无需多独立设备转运晶圆,缩短制程节拍,大幅节省无尘车间空间与设备采购投入。
采用工业高精度空气静压主轴,运行振动极低,研磨纹路均匀细腻,有效减少晶圆背面划痕、边缘崩边、内部应力开裂等不良,稳定提升芯片封装良率。
加工全程搭载非接触式厚度传感器实时采集数据,系统自动微调研磨进给量补偿厚度偏差,整片晶圆厚度公差控制在微米级别,满足超薄晶圆先进封装严苛工艺要求。
负压真空贴合结构,保护膜与晶圆表面紧密贴合无气泡滑移,研磨过程不会出现膜层起皱、偏移,有效规避晶圆边缘研磨损伤。
兼容半导体行业标准FOUP晶舟盒式自动上下料,全程密闭无尘腔体隔绝外部颗粒污染,减少人工介入,满足高洁净度芯片制造车间生产规范。
循环纯水研磨冷却搭配多级硅粉尘过滤回收装置,加工产生的硅粉集中收集处理,避免粉尘堆积污染晶圆,降低腔体清洁维护频次。
设备可存储上百套贴合、研磨分段工艺参数,切换功率器件、MEMS、存储芯片晶圆时直接调取配方,大幅缩短产线换线调试工时,提升设备稼动率。
支持对接工厂上位MES系统,每片晶圆加工厚度、研磨压力、加工时长等原始数据自动存储导出,形成完整品质台账,符合半导体行业客户审厂追溯审核标准。
功率半导体制造产线:IGBT、MOSFET、SiC碳化硅功率晶圆背面超薄减薄
存储芯片封装工厂:NAND Flash、DRAM存储晶圆精密研磨加工
射频通信芯片车间:GaAs、GaN氮化镓射频化合物半导体晶圆薄化
MEMS传感器生产线:光学、压力、加速度MEMS晶圆精密研磨
先进封装研发实验室:2.5D/3D封装超薄晶圆工艺验证测试