一、日本Adwill-Global E series 研磨用表面保护胶带 产品基础信息

二、核心规格参数

三、产品核心性能优势

1. 湿式研磨专用耐水配方，长期水冷不鼓泡脱胶

针对晶圆纯水冷却研磨工艺开发，胶带基材与胶粘剂具备优异防水性能，长时间浸泡冷却水不会分层、溶出胶渍，避免水路杂质污染晶圆正面精密线路。

2. 低应力微粘胶，超薄晶圆剥离无翘片无残胶

柔和低粘附着力，研磨完成低温平稳剥离，不会拉扯超薄晶圆造成翘曲变形；剥离后芯片焊盘、钝化层无胶残留，不干扰后续刻蚀、引线键合工序。

3. 高韧性复合基材，研磨加压不起皱不滑移

基材拉伸强度高，研磨设备加压、砂轮高速磨削过程中胶带平整贴合，无起皱、滑移现象，有效阻挡磨料颗粒划伤晶圆电路层。

4. 低离子析出配方，满足高可靠半导体芯片标准

胶粘剂严格控制钠、氯等离子析出量，不会造成铝垫腐蚀、芯片漏电失效，适配功率半导体、军工、医疗等高可靠性元器件生产。

5. 多厚度粘性细分型号，覆盖各类晶圆薄化需求

区分超薄软质晶圆、厚硅片、高硬度SiC碳化硅晶圆专用型号，兼顾真空贴合平整性与后段剥离友好度，客户按需选型。

6. 卷材平整度高，适配全自动产线高速加工

原厂精密分切卷材，无波浪、无褶皱，可直接上机全自动真空贴合机，高速贴膜不易断带、无气泡，提升晶圆研磨产线稼动率。

7. 标准配套幅宽，减少车间二次分切损耗

提供8寸、12寸晶圆加工专用标准幅宽卷材，开箱即可投入使用，省去人工分切工序，降低胶带物料损耗与人工成本。

四、适用行业与工艺场景

• 功率半导体制造：IGBT、MOSFET、SiC碳化硅晶圆背面研磨正面防护

• 存储芯片封装厂：NAND、DRAM超薄晶圆减薄贴膜保护

• 射频通信芯片车间：GaN/GaAs化合物半导体晶圆研磨工序

• MEMS传感器产线：光学、压力传感芯片薄化工序保护膜

• 先进封装研发实验室：2.5D/3D超薄晶圆研磨工艺验证