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日本Adwill-Global RAD-2010F12 紫外线照
参考价:¥10

型号:3

更新时间:2026-07-03  |  阅读:18

详情介绍

一、产品基础信息

项目详情
品牌型号Adwill-Global RAD-2010F12 紫外线照射机
产品定位8/12寸半导体晶圆研磨后UV解胶专用全自动照射设备
核心工艺作用UV光降解研磨保护膜胶粘剂,实现低应力平稳剥离晶圆
标准光源365nm匹配晶圆保护膜专用紫外光源
适配晶圆硅晶圆、SiC/GaN/MEMS 8/12寸功率/存储芯片晶圆

二、日本Adwill-Global RAD-2010F12 紫外线照射机 核心规格参数

参数项标准规格
兼容晶圆尺寸8英寸、12英寸标准FOUP晶舟统一适配
紫外光源波长365nm工业专用UV光源,适配E系列研磨保护胶带
照度控制系统实时在线照度监测,功率闭环自动补偿能量偏差
照射腔体全封闭百级无尘避光腔体,紫外防泄漏防护
上下料模式全自动真空机械手FOUP盒式进出料,可联机研磨机
冷却方案水冷+风冷双循环恒温光源冷却系统
废气处理内置UV光解有机废气过滤分解模组
控制系统工业触控PLC,海量UV工艺配方存储、分段照射程序
安全防护门联锁断光、紫外泄漏报警、晶圆碎片检测、自动停机
数据拓展MES上位机通讯,每片晶圆照射能量时长完整记录导出
供电气源AC380V工业供电,配套洁净压缩空气、循环冷却水

三、产品核心性能优势

1. 365nm定制UV光源,精准实现保护膜低粘解胶

光源波段专为Adwill E系列晶圆研磨保护膜研发,精准分解胶粘剂交联结构,大幅降低胶带附着力,剥离过程不会拉扯超薄晶圆,有效避免晶片翘曲、边缘崩边、表面残胶等不良。

2. 照度闭环实时补偿,整片晶圆照射能量高度均匀

腔体搭载在线紫外照度传感器,光源随使用出现衰减时机身自动提升输出功率补偿能量,整片晶圆接收UV能量差值极小,每一批次晶圆剥离效果高度统一,稳定控制产线不良率。

3. 全密闭无尘避光腔体,符合半导体洁净车间规范

整机封闭式避光防尘结构,隔绝外部杂光干扰工艺,同时阻挡车间粉尘落入晶圆表面;机身自带紫外屏蔽防护,杜绝光源外泄伤害操作人员,适配百级、千级无尘封装车间。

4. FOUP全自动传输,可与研磨机组成一体化产线

兼容行业标准FOUP晶舟全自动进出料,可直接对接RAD-2510F12Sa晶圆贴合研磨机,实现“研磨→UV解胶→保护膜剥离"全自动无人化流转,省去人工转运晶圆带来的颗粒污染风险。

5. 水冷风冷复合恒温冷却,延长UV光源使用寿命

双循环散热系统持续稳定控制光源工作温度,避免高温加速光源老化衰减,大幅降低光源更换频次与产线停机维护工时,减少耗材综合使用成本。

6. 内置废气光解净化,车间无有机挥发异味

UV照射保护膜会释放微量有机挥发物,设备集成光解过滤模组,分解净化废气后再向外排出,维持无尘车间空气洁净度,满足半导体工厂环保管控标准。

7. 海量工艺配方一键调取,多品类芯片快速换产

设备可存储上百套不同厚度、材质晶圆的UV照射能量、时间工艺参数,切换功率、存储、MEMS芯片时直接调取预设配方,大幅缩短产线换线调试工时。

8. MES全流程数据存储,芯片品质可完整追溯

自动采集每片晶圆UV照射总能量、实时照度、照射时长全部工艺数据,支持上传工厂MES上位系统,生成标准化品质台账,方便客户审厂、品质异常回溯分析。

四、日本Adwill-Global RAD-2010F12 紫外线照射机 适用行业与应用场景

  • 功率半导体制造产线:IGBT、MOSFET、SiC碳化硅晶圆研磨后UV解胶剥离保护膜

  • 存储芯片封装工厂:NAND Flash、DRAM超薄晶圆薄化后低应力UV解粘工艺

  • 射频通信芯片车间:GaN/GaAs氮化镓、砷化镓化合物半导体晶圆照射解胶

  • MEMS传感器生产线:光学、压力传感超薄晶圆保护膜UV预处理

  • 先进封装一体化产线:配套RAD系列研磨机构成全自动晶圆背面薄化工序流水线


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